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【一周热点】Q2全球DRAM/NAND价格将继续上涨;iPhone新机预估出货将逾1亿部

日期:02 / 03 / 2017 来源:全球半导体观察

时间:2017-3-2 下午 13:00:00

Q2全球DRAM、NAND价格将继续上涨

自2016年开始,三星、SK海力士和美光三大DRAM厂将产能持续向行动式内存转进,在供货减少的情况下,标准型内存价格持续飙涨,同时带动服务器内存也呈现出供不应求的态势。

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)预计,与第一季度相比,2017年第二季度服务器内存供货吃紧态势仍将持续,其中服务器内存合约价将继续上涨近10%,DDR4 16GB服务器模组均价将迈向130美元大关。

2017年,三星、SK海力士和美光都会进一步提升整体高容量服务器模组的渗透率。三星的目标是18纳米制程的产出在2017年底达到40%以上,SK海力士和美光则会着重提升20/21纳米制程良率并扩大高容量晶圆颗粒。

NAND Flash市场方面,由于2017 MWC(世界通信大会)即将到来,势必将带动今年第一波智能手机上市潮,使得NAND Flash供货吃紧状况持续。

不过,俗话说“物极必反”,由于关键零部件涨价过高,对智能手机和笔记本厂商将会造成成本压力,压缩厂商利润。因此,eMMC与SSD的平均存储容量搭载量的成长速度将会趋缓。即便如此,SSD与eMMC价格仍将上涨约5~10%。

东芝西数联合开发64层512Gb 3D NAND

近几年,随着3D NAND技术的发展,包括三星电子和SK海力士在内的各大厂商都推出了基于新一代3D NAND技术的闪存芯片。而东芝作为全球第二大NAND Flash厂商,在3D NAND技术的研发上自然也不甘落后。

近日,东芝正式推出全球首款采用TLC技术的64层3D NAND快闪存储器芯片。该闪存芯片是由东芝与其合作伙伴西数共同开发,是基于BiCS(Bit Cost Scaling)的3D技术,容量高达512GB,预计今年下半年即可量产。

与2016年7月推出的64层架构的快闪存储器芯片相比,该款芯片的存储密度增加了1倍多,不仅增加了每片晶圆的产出容量,同时降低了单位容量的成本。

此外,其封装闪存芯片的最高容量将达到960GB,可以被应用在消费类SSD和企业级SSD产品中,能够很好地解决零售客户、移动、数据中心等对信息存储不断增长的需求。

iPhone新机预估出货将逾一亿部

毫无疑问,苹果新一代iPhone是目前全球智能手机市场关注的焦点。据集邦咨询最新调查显示,苹果公司将在今年推出三个版本的新iPhone机种,分别为4.7寸版、5.5寸版和5.8寸高端版。

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其中4.7寸版和5.5寸版的屏幕将依然延续此前的LCD显示屏,最高存储容量为256GB。不同的是,4.7寸版的机身内存为2GB,而5.5寸标准版的则为升级为3GB。

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从供应链上的消息来看,三个版本的新iPhone中,5.8寸的高端版会是最大的亮点。与前两款相比,高端版除了在尺寸上的升级之外,在外观和技术创新方面均有了大幅提升。

外观上,不仅首度搭载了分辨率为2K等级的AMOLED显示屏,同时将实体Home键功能整合在面板中,让长型比例屏幕超过2:1,机身大小则与4.7寸机型相似。技术上,随着生物识别和AR(增强现实)功能应用范围的扩展,苹果新一代高端款iPhone也有望搭载3D Sensing技术,不仅可应用于人脸识别功能,同时也有利于未来支持AR应用。

在此种新组合产品抢市的优势下,无疑将进一步提升苹果手机的销量和获利情况。集邦咨询预估,今年iPhone新机的总出货量将达1亿部以上,而苹果智能手机全年出货量将达到2.3亿部的水平,年成长近6%。

台积电Q1试产7纳米

随着制程技术越来越接近摩尔定律的极限,不少半导体厂商为抢夺市场先机,都开始积极研发更加先进的10纳米、7纳米以及5纳米制程技术。

三星和台积电之间的竞争更是尤为激烈。在10纳米技术上,双方可谓是不相上下,三星于23日推出了采用最新的10纳米工艺处理器Exynos 8895,而台积电则在去年10月份就已量产10纳米,预计将在今年第一季度出货。

不过,在7纳米和5纳米制程上,台积电似乎领先一步。台积电总经理暨共同执行长刘德音在23日举行的供应链管理论坛上指出,今年第一季度除了要出货10纳米制程外,7纳米技术也将在当季进行试产,预计2018年正式量产,这与台积电此前公布的时间节点相一致。

按照台积电此前的说法,其7纳米技术与10纳米技术有95%以上的设备能相互使用,而7纳米制程不仅可以大幅改善芯片密度,还可在降低功耗的同时维持相同的芯片效能。

有媒体报道称,目前已有15家客户确定将使用台积电的7纳米技术。此外,苹果、高通、赛灵思(Xilinx)和英伟达未来也可能成为台积电的大客户。